為落實(shí)《“十三五”廣東省科技創(chuàng)新規(guī)劃（2016-2020 年）》，根據(jù)《廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃實(shí)施方案》，圍繞 國家重大戰(zhàn)略、重大工程核心需求、我省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā) 展關(guān)鍵材料與技術(shù)支撐需要，結(jié)合國際新材料前沿技術(shù)發(fā)展 趨勢，重點(diǎn)關(guān)注產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求程度高的關(guān)鍵領(lǐng)域，啟動(dòng)實(shí)施“電子信息關(guān)鍵材料”重點(diǎn)專項(xiàng)。
本重點(diǎn)專項(xiàng)目標(biāo)是：面向我省新一代信息技術(shù)等戰(zhàn)略性 新興產(chǎn)業(yè)對關(guān)鍵電子信息材料的迫切需求，強(qiáng)化重點(diǎn)領(lǐng)域關(guān) 鍵材料的自研自給能力，開展關(guān)鍵材料與核心器件攻關(guān)，全 力搶占若干電子信息材料的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略制高點(diǎn)，逐步構(gòu) 建電子信息材料支撐體系。
本專項(xiàng)按照芯片制造用光敏材料、芯片封裝用陶瓷劈刀、高品質(zhì)聚酰亞胺、半導(dǎo)體濺射靶材四個(gè)專題共部署 5個(gè)項(xiàng)目，每個(gè)項(xiàng)目支持1項(xiàng)，實(shí)施周期為3-4年。申報(bào)時(shí)項(xiàng)目研究內(nèi) 容必須涵蓋該專題/項(xiàng)目下所列的全部內(nèi)容，項(xiàng)目完成時(shí)應(yīng)完 成該專題/項(xiàng)目下所有考核指標(biāo)。每個(gè)專題/項(xiàng)目參研單位總 數(shù)不得超過 10 個(gè)。除特別說明外，本專項(xiàng)要求企業(yè)牽頭申 報(bào)，項(xiàng)目完成時(shí)項(xiàng)目成果需實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和銷售。鼓勵(lì)大企業(yè)聯(lián) 合創(chuàng)新型中小企業(yè)、高校、科研院所等，產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)。
專題一：高端芯片減薄工序臨時(shí)鍵合光敏材料及關(guān)鍵裝備（專題編號(hào)：20190180）
研究內(nèi)容：面向高端芯片/器件的高精度超薄晶圓級加工 需求，研發(fā)滿足臨時(shí)鍵合/解鍵合的光敏材料、關(guān)鍵設(shè)備及成 套工藝。主要研究內(nèi)容如下：
（1）紫外激光響應(yīng)材料的設(shè)計(jì)、配方優(yōu)化及合成技術(shù) 開發(fā)；
（2）臨時(shí)鍵合膠材料的配方設(shè)計(jì)及性能研究；
（3）整套臨時(shí)鍵合材料的工藝開發(fā)和驗(yàn)證；
（4）紫外激光拆鍵合自動(dòng)化設(shè)備的開發(fā)。
申報(bào)要求：本項(xiàng)目不限定牽頭申報(bào)單位屬性，但有產(chǎn)業(yè) 化目標(biāo)，須不少于項(xiàng)目總投入50%的自籌經(jīng)費(fèi)。
支持方式與強(qiáng)度：無償資助，每項(xiàng)不超過 1500 萬元。
專題二：IC 芯片封裝用陶瓷劈刀材料及應(yīng)用研究（專題 編號(hào)：20190181）
研究內(nèi)容：
（1）高性能劈刀核心參數(shù)的研究與制造裝備的開發(fā) 基于芯片封裝用陶瓷劈刀型號(hào)和種類，研究劈刀關(guān)鍵尺 寸與鍵合力、抗壓、抗彎以及抗錘擊等的影響規(guī)律，開發(fā)高 性能劈刀制造設(shè)備。
（2）高性能劈刀原材料配方技術(shù)研究和開發(fā) 開發(fā)高性能陶瓷劈刀配方，研究成型技術(shù)及精細(xì)研磨加 工工藝；制備高強(qiáng)度、高硬度、高質(zhì)量陶瓷劈刀。
（3）長壽命、低磨損劈刀端面摻雜技術(shù)開發(fā) 基于精細(xì)研磨加工工藝，研究不影響表面粗糙度、精度 以及焊接質(zhì)量的摻雜方法，實(shí)現(xiàn)原有劈刀端面的降磨、自清 洗以及增壽。
考核指標(biāo)：
（1）陶瓷粉體一次粒徑≤80 nm；粒度 D50≤0.15 μm； BET≥(18±2) m2 /g；
（2）陶瓷劈刀性能指標(biāo)：尺寸精度±1.5 μm；表面光潔 度 Ra≤0.1 μm，Rz≤0.8 μm；硬度≥1900 HV；抗彎強(qiáng)度≥600 MPa；
（3）劈刀刀頭端面納米硬度大于 22 GPa，焊點(diǎn)數(shù)≥200 萬次（焊接工藝條件：超聲電流 90-130 mA，焊接壓力 25-60 g，焊接時(shí)間 15-30 ms）；
（4）實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并銷售，新增產(chǎn)值 2 億元以上；
（5）申請專利 10 件，圍繞項(xiàng)目形成的創(chuàng)新成果發(fā)表高 水平論文。
支持方式與強(qiáng)度：無償資助，每項(xiàng)不超過 1500 萬元。
專題三：高品質(zhì)聚酰亞胺基材及應(yīng)用研究（專題編號(hào)： 20190182）
項(xiàng)目 1：柔性顯示用透明聚酰亞胺基材研發(fā)及應(yīng)用
研究內(nèi)容：
（1）研究面向柔性顯示的耐高溫、高透明襯底用聚酰 亞胺前驅(qū)體，包括聚酰亞胺化學(xué)結(jié)構(gòu)、組分、工藝及性能的 相關(guān)性研究；開展聚酰亞胺薄膜的制備工藝研究；
（2）開展高透明性聚酰亞胺柔性蓋板材料研究，包括 聚酰亞胺前驅(qū)體的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、組分調(diào)控、制備工藝等， 以及聚酰亞胺薄膜的制備工藝技術(shù)；
（3）研究聚酰亞胺薄膜的表面特性及復(fù)合技術(shù)，以及 高透光柔性襯底-光電功能薄膜-金屬導(dǎo)電電極-多層薄膜封 裝的集成技術(shù)。瞄準(zhǔn)彩色柔性顯示的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，開展聚酰 亞胺柔性襯底、蓋板與薄膜晶體管陣列和 OLED 或量子點(diǎn)、 電子紙等顯示的集成技術(shù)研究，實(shí)現(xiàn)柔性顯示的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
考核指標(biāo)：
（1）聚酰亞胺柔性襯底的考核指標(biāo)：①20 μm 厚度下薄 膜的平均透光率≥88%，色度 b 值≤3，霧度≤0.8；②熱膨脹系 數(shù)≤15 ppm/℃@100-200 ℃；③抗拉強(qiáng)度>300 MPa；④可涂 布印刷制備薄膜；⑤黃變指數(shù)＜4.5；⑥玻璃化轉(zhuǎn)變溫度＞ 400 ℃。
（2）聚酰亞胺柔性蓋板的考核指標(biāo)：①20 μm 厚度薄膜 的平均透光率≥90%，色度 b 值≤3，霧度≤0.8；②熱膨脹系數(shù) ≤15 ppm/℃@100-200 ℃；③抗拉強(qiáng)度>310 MPa；④可耐受 反復(fù)折疊 100,000 次以上（最小半徑 1 mm）；⑤黃變指數(shù)＜ 0.6；⑥玻璃化轉(zhuǎn)變溫度＞330 ℃。
（3）高透明聚酰亞胺材料實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的批量化生產(chǎn)（飛 行抽檢，良品率>85%）并銷售。聚酰亞胺柔性襯底、蓋板應(yīng) 用于分辨率不低于 300ppi 彩色柔性顯示屏。
（4）申請發(fā)明專利10 件以上，圍繞項(xiàng)目形成的創(chuàng)新成 果發(fā)表高水平論文。
（5）項(xiàng)目成果材料和設(shè)備在廣東實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)新增 產(chǎn)值 1 億元以上。
支持方式與強(qiáng)度：無償資助，每項(xiàng)不超過 2000 萬元。
項(xiàng)目 2：聚酰亞胺基無膠覆銅板基材產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用
研究內(nèi)容：
（1）開發(fā)高品質(zhì)聚酰亞胺前驅(qū)體，包括單體、填料、多層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及制備；
（2）研究聚酰亞胺組分、結(jié)構(gòu)、工藝與性能的相關(guān)性；
（3）進(jìn)行納米分散、填充制膠、懸浮涂布線、亞胺化 設(shè)備的開發(fā)及驗(yàn)證；
（4）開展高品質(zhì)聚酰亞胺的表面改性技術(shù)、復(fù)合技術(shù) 的開發(fā)及工程化驗(yàn)證；
（5）研究聚酰亞胺高端柔性覆銅板穩(wěn)定化生產(chǎn)技術(shù)，并在新一代信息技術(shù)領(lǐng)域的典型應(yīng)用（場景）中進(jìn)行驗(yàn)證。
考核指標(biāo)：
（1）Dk/Df (15 GHz) ≤3.2/0.003，插入損耗（15 GHz） <-2 dB/10 cm，剝離強(qiáng)度≥0.7N/mm （銅箔厚度不超過 12 微米）；
（2）吸水率（E-1/105+D-24/23）≤0.5%；
（3）耐浸焊性 340 ℃、30 Sec 不分層不起泡；蝕后卷 曲度≤1.0%；
（4）熱膨脹系數(shù)（蝕后，RT-250 ℃）≤25 ppm/K；尺 寸穩(wěn)定性（E-0.5/150）≤±0.05%；
（5）燃燒性 UL94 V-0；耐折性（無壓膜，R=0.38 mm， n=175 r/min，G=500 g）≥150 次；耐化學(xué)性（剝離強(qiáng)度保持 率）≥90%；
（6）表面電阻（濕熱）≥1.0E+05 MΩ；體積電阻率（濕 熱）≥1.0E+06 MΩ?cm；電氣強(qiáng)度≥80 kV/mm；
（7）在手機(jī)天線、傳輸線，高速連接器（USB3.1）等 開展驗(yàn)證，項(xiàng)目結(jié)題時(shí)銷售量超過 20 萬平方米；
（8）實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化量產(chǎn)（飛行抽檢，良品率>85%）并銷 售，實(shí)現(xiàn)新增產(chǎn)值 2 億元以上；
（9）申請發(fā)明專利 10 件以上，圍繞項(xiàng)目形成的創(chuàng)新成 果發(fā)表高水平論文。
支持方式與強(qiáng)度：無償資助，每項(xiàng)不超過 1500 萬元。
專題四：薄膜晶體管用高遷移率氧化物半導(dǎo)體濺射靶材研究及應(yīng)用（專題編號(hào)：20190183）
研究內(nèi)容：開發(fā) TFT 基板用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高遷移 率金屬氧化物有源半導(dǎo)體材料，研究高品質(zhì)金屬氧化物原料 制備技術(shù)，開發(fā)高世代金屬氧化物靶材制備技術(shù)、配套的薄 膜制備技術(shù)、金屬氧化物 TFT 制備工藝等，研究可用于 8.5 代生產(chǎn)線及以上的生產(chǎn)工藝及與 OLED 顯示的集成工藝。鼓勵(lì)采用自主技術(shù)的國產(chǎn)化設(shè)備研制靶材。
考核指標(biāo)：
（1）靶材材料純度>99.99%；相對密度在 99%以上；靶材平均晶粒尺寸<10μm；組分均勻性±0.5%；抗彎強(qiáng)度≥80MPa。
（2）金屬氧化物半導(dǎo)體 TFT 器件遷移率>30 cm2 /(V?s)； 亞閾值擺幅 < 0.3 dec/V；開關(guān)比>109；
（3）光照穩(wěn)定性：采用亮度為 10000 cd/m2的白光 LED 直接照射 TFT 器件溝道，閾值電壓變化40 噸，實(shí)現(xiàn)新增產(chǎn)值 1 億元以 上。 支持方式與強(qiáng)度：無償資助，每項(xiàng)不超過 2000 萬元。
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