為落實(shí)《“十三五”廣東省科技創(chuàng)新規(guī)劃(2016-2020 年)》,根據(jù)《廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃實(shí)施方案》,圍繞國(guó)家重大戰(zhàn)略、重大工程核心需求、我省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵材料與技術(shù)支撐需要,結(jié)合國(guó)際新材料前沿技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)關(guān)注產(chǎn)業(yè)發(fā)展急需程度高的關(guān)鍵領(lǐng)域,啟動(dòng)實(shí)施“5G 通信關(guān)鍵材料及應(yīng)用”重點(diǎn)專項(xiàng)。
本重點(diǎn)專項(xiàng)目標(biāo)是:圍繞 5G 商用過程中關(guān)鍵材料的核心技術(shù)和短板,及時(shí)響應(yīng) 5G 通信關(guān)鍵材料的高頻、低損耗和大功率密度等需求,提前布局 5G 毫米波關(guān)鍵材料及其應(yīng)用研究,加速推動(dòng)我國(guó) 5G 商用步伐,支撐新一代通訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在高頻基板材料、射頻介質(zhì)材料、高頻低損耗天線材料、高效熱管理材料、5G 材料測(cè)試評(píng)價(jià)技術(shù)等方面取得突破,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?;瘧?yīng)用,推動(dòng)相關(guān)技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
本專項(xiàng)重點(diǎn)部署 5 個(gè)專題,每個(gè)專題支持 1 項(xiàng),實(shí)施周期為 3-4 年。申報(bào)時(shí)需按專題申報(bào),研究?jī)?nèi)容必須涵蓋該專題下所列的全部?jī)?nèi)容,項(xiàng)目完成時(shí)應(yīng)完成該專題下所有考核指標(biāo)。每個(gè)專題參研單位總數(shù)不得超過 10 家。專題 1-4 要求企業(yè)牽頭申報(bào),項(xiàng)目完成時(shí)取得的成果實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和銷售;鼓勵(lì)大企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新型中小企業(yè)、高校、科研院所等,產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)。專題 5 要求具有獨(dú)立法人資格的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)牽頭,聯(lián)合專題 1-4 的目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用單位申報(bào);牽頭申報(bào)專題 5 的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)不得參與專題 1-4 的申報(bào)。
專題 1:高頻電子電路基材研發(fā)及應(yīng)用研究(專題編號(hào):20190175)
研究?jī)?nèi)容:研制非聚四氟乙烯(PTFE)的熱固性樹脂體系,優(yōu)化不同類型銅箔對(duì)基材無(wú)源互調(diào)(PIM)性能、基材剝離強(qiáng)度(PS)性能,研究低介電低損耗纖維等填料、填料表面處理、填料復(fù)配以及填料分散等技術(shù),實(shí)現(xiàn)介電性能、可靠性及多層板可加工性等性能提升,形成自主可控的原材料供應(yīng)鏈體系。研究非 PTFE 熱固性樹脂體系高頻電子電路基材的工藝并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在 5G 設(shè)備印制電路板中的應(yīng)用。
考核指標(biāo):
(1)PIM≤-158 dBc (測(cè)試頻率 700,1900,2600 MHz);
(2)PS≥0.875 N/mm(A 態(tài)和熱應(yīng)力條件下),抗彎強(qiáng)度≥120 MPa;
(3)10 GHz 時(shí),介電常數(shù)≤3.0±0.05,插損≤-0.25 dB/inch;40 GHz 時(shí),介電常數(shù)≤3.0±0.05,插損≤-0.9 dB/inch;
(4)熱分解溫度>280 ℃,導(dǎo)熱系數(shù)≥0.35 W/(m·K),熱膨脹系數(shù):x 向≤19 ppm/℃,y 向≤19 ppm/℃,z 向≤30 ppm/℃;
(5)吸濕率≤0.3%,介電擊穿強(qiáng)度>160 kV/cm;
(6)以上技術(shù)指標(biāo)通過專題 5 第三方機(jī)構(gòu)測(cè)試;
(7)申請(qǐng)發(fā)明專利 8 件,圍繞項(xiàng)目形成的創(chuàng)新成果發(fā)表高水平論文;
(8)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和銷售,項(xiàng)目實(shí)施期滿新增銷售 2 億元。
支持方式與強(qiáng)度:無(wú)償資助,每項(xiàng)不超過 2000 萬(wàn)元。
專題 2:射頻器件用低損耗材料的研發(fā)及應(yīng)用研究(專題編號(hào):20190176)
研究?jī)?nèi)容:重點(diǎn)開展高頻低損耗陶瓷材料的研究,并開發(fā)相應(yīng)的流延體系;開展與陶瓷材料匹配共燒的高性能銀漿的研究,解決電子漿料與生瓷帶低溫共燒問題。利用超低損耗陶瓷材料及導(dǎo)電銀漿制備高增益、寬帶、微型化射頻器件,研究量產(chǎn)工藝,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,在 5G 典型應(yīng)用(場(chǎng)景)中驗(yàn)證并在 5G 產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
考核指標(biāo):
(1)介電常數(shù)≤7±0.05;介電損耗≤0.0004@1 MHz,0.0015@(2.6GHz,3.5GHz,4.9GHz,40 GHz);
(2)諧振頻率溫度系數(shù)≤±10 ppm/℃;線性熱膨脹(25 ℃-300 ℃)≤+7 ppm/℃;
(3)擊穿場(chǎng)強(qiáng)≥400 kV/cm;
(4)與銀共燒溫度不超過 900 ℃;
(5)以上技術(shù)指標(biāo)通過專題 5 第三方機(jī)構(gòu)測(cè)試;
(6)申請(qǐng)發(fā)明專利 5 件;
(7)項(xiàng)目實(shí)施期滿后(瓷粉、漿料)制備成器件(包括功率放大器模塊、5G 射頻前端模組、手機(jī)濾波器、功分器、高頻電感器等),新增銷售 1 億元。
支持方式與強(qiáng)度:無(wú)償資助,每項(xiàng)不超過 2000 萬(wàn)元。
專題 3:低介電低損耗天線材料的研發(fā)及應(yīng)用研究(專題編號(hào):20190177)
研究?jī)?nèi)容:
(1)低介電常數(shù)和低介電損耗樹脂的研發(fā)制備
通過分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及合成工藝的優(yōu)化,制備低介電常數(shù)和低介電損耗樹脂。
(2)5G 通信終端天線用基材膜設(shè)備的開發(fā)以及成膜工藝的研究
通過成膜設(shè)備的開發(fā)以及成膜工藝的研究,解決薄膜材料的取向問題,制備出 25 μm、50 μm、100 μm 不同厚度的介質(zhì)膜材料,以及 25 μm、50 μm 厚度的粘結(jié)材料,制備出不同功能性的薄膜。
(3)超薄無(wú)膠柔性覆銅技術(shù)研究及天線開發(fā)
研究介質(zhì)膜界面處理技術(shù),優(yōu)化該基材雙面覆銅制備工藝;開發(fā)無(wú)膠柔性覆銅工藝設(shè)備,優(yōu)化工藝過程參數(shù),替代傳統(tǒng)雙面覆銅壓合工藝,實(shí)現(xiàn)低粗糙度、高剝離強(qiáng)度的銅箔與基材的結(jié)合;開發(fā)低介電低損耗天線產(chǎn)品,在 5G 典型應(yīng)用(場(chǎng)景)中驗(yàn)證并在 5G 產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
(4)印刷式一體化 5G 高頻天線的工藝開發(fā)及驗(yàn)證
以低介電低損耗樹脂為基礎(chǔ),研究相關(guān)工藝及裝備,完成激光直接成型制作技術(shù)(LDS)的替代,實(shí)現(xiàn) 5G 高頻低損耗天線超薄柔性印制電路板及天線振子的印刷式一體化制造,在 5G 典型應(yīng)用(場(chǎng)景)中驗(yàn)證并在 5G 產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
(5)制定技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化
完成 5G 天線相關(guān)技術(shù)工藝標(biāo)準(zhǔn)的起草和制定,實(shí)現(xiàn)基于相關(guān)技術(shù) 5G 天線產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
考核指標(biāo):
(1)薄膜介電常數(shù)≤3.0@40 GHz,介電損耗≤0.002@40GHz,吸水率<0.5%;
(2)薄膜 CTE≤18 ppm/℃,最低薄膜厚度≤25 μm;
(3)覆銅基材介電常數(shù)≤3.2@40 GHz,介電損耗因子≤0.002@40 GHz,傳輸損耗≤40 dB/m @DC 40 GHz(100 μm厚單層覆銅板),Z 向熱膨脹系數(shù)≤200 ppm/℃,耐彎折性(180°)≥100 次(測(cè)試條件:銅層厚度 18 μm,介質(zhì)層厚度18 μm,曲率半徑 5 mm),剝離強(qiáng)度≥1.0 N/mm;
(4)天線振子材料上鍍時(shí)間≤15 min,熱變形溫度≥300 ℃,介電損耗≤0.002@40 GHz;
(5)5G 天線傳輸損耗:≤0.03 dB/mm (0.2 GHz-18 GHz),≤0.05 dB/mm (18 GHz-40 GHz),阻抗控制精度:±7%,最小線寬線距:35 μm;
(6)以上技術(shù)指標(biāo)通過專題 5 第三方機(jī)構(gòu)測(cè)試;
(7)申請(qǐng)發(fā)明專利 10 件;
(8)項(xiàng)目成果實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和銷售,項(xiàng)目實(shí)施期滿后新增銷售 1.5 億元。
支持方式與強(qiáng)度:無(wú)償資助,每項(xiàng)不超過 3000 萬(wàn)元。
專題 4:高效熱管理材料研發(fā)及應(yīng)用研究(專題編號(hào):20190178)
研究?jī)?nèi)容:本專題需導(dǎo)熱凝膠和導(dǎo)熱墊片整體申報(bào)。
(1)導(dǎo)熱凝膠
通過研制新型填料、聚合物基體遴選、填料表界面改性、導(dǎo)熱凝膠復(fù)合等技術(shù),制備高性能導(dǎo)熱凝膠。研究填料分散、界面結(jié)合狀態(tài)和網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu);研究導(dǎo)熱凝膠性能及其組分、微觀結(jié)構(gòu)、制備方法和工藝條件的關(guān)聯(lián)規(guī)律。開展導(dǎo)熱凝膠可靠性、失效分析、老化測(cè)試等評(píng)價(jià)研究,了解導(dǎo)熱凝膠的老化和失效機(jī)制。開展導(dǎo)熱凝膠在 5G 相關(guān)器件的典型應(yīng)用研究,考察導(dǎo)熱凝膠對(duì) 5G 器件節(jié)溫和熱阻值的影響,建立 5G相關(guān)器件熱管理的評(píng)價(jià)體系。
(2)導(dǎo)熱墊片
通過不同條件(化學(xué),磁場(chǎng),電場(chǎng),機(jī)械等)對(duì)不同取向工藝的研究和配方改良,將導(dǎo)熱填料取向排列并混合在硅膠體系,實(shí)現(xiàn)整齊熱通道,從而獲得高導(dǎo)熱性能的導(dǎo)熱墊片。開展導(dǎo)熱墊片可靠性檢測(cè)、失效分析、老化測(cè)試等評(píng)估,了解導(dǎo)熱墊片的老化和失效機(jī)制。開展導(dǎo)熱墊片在 5G 相關(guān)器件的典型應(yīng)用研究,考察導(dǎo)熱墊片對(duì) 5G 器件節(jié)溫和熱阻值的影響,建立 5G 相關(guān)器件的熱管理評(píng)價(jià)體系。
考核指標(biāo):
(1)導(dǎo)熱凝膠:導(dǎo)熱系數(shù)≥8.0 W/m?K;界面熱阻值≤0.2Kcm2/W;模量≥18 kPa;粘度≥200 Pa·s;體積電阻率≥5×1010ohm·cm;
(2)導(dǎo)熱墊片:導(dǎo)熱系數(shù)≥25.0 W/m?K;硬度(Shore 00):60-70 ;阻燃性達(dá)到 V-0(UL-94)級(jí);厚度在 0.2-1.0 mm 范圍內(nèi);擊穿強(qiáng)度≥ 1.0 kV/cm;
(3)以上技術(shù)指標(biāo)通過專題 5 第三方機(jī)構(gòu)測(cè)試;
(4)導(dǎo)熱凝膠和導(dǎo)熱墊片滿足使用方長(zhǎng)期可靠性要求,在至少 2 種 5G 典型應(yīng)用(場(chǎng)景)中應(yīng)用驗(yàn)證并在 5G 產(chǎn)品中得到應(yīng)用;
(5)項(xiàng)目成果實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和銷售,項(xiàng)目實(shí)施期滿后新增銷售 1.5 億元;
(6)申請(qǐng)發(fā)明專利 5 件。
支持方式與強(qiáng)度:無(wú)償資助,每項(xiàng)不超過 1500 萬(wàn)元。
專題 5:5G 通信用關(guān)鍵材料測(cè)試評(píng)價(jià)技術(shù)研究與設(shè)備開發(fā)(專題編號(hào):20190179)
研究?jī)?nèi)容:針對(duì)電子信息及 5G 毫米波通訊產(chǎn)品用高頻基板材料,高頻低損耗陶瓷粉材料,高效熱管理材料(導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱墊片),LCP、MPI 等天線用材料,工藝材料(焊料合金、焊錫膏、三防漆、阻焊油墨、表面處理材料)、電子信息關(guān)鍵材料及其主要工藝結(jié)構(gòu)、應(yīng)用產(chǎn)品,開展基于材料損傷機(jī)理的環(huán)境要素對(duì)材料、工藝結(jié)構(gòu)及產(chǎn)品的關(guān)鍵參數(shù)影響研究;開發(fā)關(guān)鍵材料、工藝結(jié)構(gòu)及產(chǎn)品的關(guān)鍵參數(shù)隨環(huán)境要素波動(dòng)的分析和測(cè)試技術(shù);建立關(guān)鍵材料的一致性和長(zhǎng)期可靠性評(píng)價(jià)方法;開發(fā)適用于上述關(guān)鍵材料、工藝結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試樣板、軟件算法、夾具、配套附件;研發(fā)并搭建適用于上述測(cè)試方法的測(cè)試環(huán)境和測(cè)試設(shè)備;形成面向電子信息及 5G 通信關(guān)鍵材料的高端測(cè)試評(píng)價(jià)產(chǎn)業(yè)化服務(wù)能力。
考核指標(biāo):
(1)關(guān)鍵材料至少覆蓋高頻基板材料,高頻低損耗陶瓷粉材料,高效熱管理材料(導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱墊片),LCP、MPI 等天線用材料,工藝材料(焊料合金、焊錫膏、三防漆、阻焊油墨、表面處理材料)及其主要工藝結(jié)構(gòu)及應(yīng)用產(chǎn)品;
(2)關(guān)鍵參數(shù)至少包括關(guān)鍵材料及工藝結(jié)構(gòu)的介電常數(shù)、介質(zhì)損耗因子、特性阻抗、信號(hào)損耗、PIM、尺寸穩(wěn)定性、膨脹系數(shù)、靜態(tài)和動(dòng)態(tài)力學(xué)性能、導(dǎo)熱系數(shù);產(chǎn)品的射頻性能回波損耗、插損、增益、相位等;關(guān)鍵環(huán)境要素包括高溫、低溫、溫度變化、濕熱、高頻信號(hào)輻射五個(gè)主要環(huán)境要素;測(cè)試頻率覆蓋 0.7~110 GHz;溫度范圍覆蓋-65 ℃~125 ℃,溫度變化速率不低于 15 ℃/min,濕度范圍涵蓋50% RH~95%RH,滿足 24 GHz 及以上終端產(chǎn)品的蜂窩通訊設(shè)備特征(場(chǎng)景);
(3)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試圖形和相關(guān)配件覆蓋共面波導(dǎo)、差分線、微帶線及帶狀線四種圖形;測(cè)試環(huán)境和測(cè)試系統(tǒng)滿足頻率覆蓋 0.7~110 GHz,特性阻抗能實(shí)現(xiàn)的測(cè)試線路不大于 4 mm,精度≤±1%,介電常數(shù)測(cè)試精度≤±1%,介質(zhì)損耗因子測(cè)量范圍寬于 0.0001~0.01,諧振器法精度≤±0.0005 或 5%(取大者),S參數(shù)反推精度0.001或10%(較大者),損耗測(cè)試精度≤5 mdb;
(4)形成包含不少于 10 種損傷和失效機(jī)理,不少于 100個(gè)案例的失效案例庫(kù);開發(fā)不少于 10 種設(shè)計(jì)圖形標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試樣板、軟件算法、夾具、配套附件;研發(fā) 2 套自動(dòng)在線測(cè)試系統(tǒng);
(5)形成國(guó)家/行業(yè)/權(quán)威團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范(報(bào)批稿)不少于 10 項(xiàng),申請(qǐng)發(fā)明專利不少于 5 項(xiàng),軟件著作權(quán)不少于 5項(xiàng),圍繞項(xiàng)目形成的創(chuàng)新成果發(fā)表高水平論文,相關(guān)技術(shù)和方法在不少于 20 家企業(yè)中驗(yàn)證;
(6)項(xiàng)目實(shí)施期滿,服務(wù)相關(guān)企業(yè)不少于 200 家,開展相關(guān)測(cè)試和評(píng)價(jià)服務(wù)不少于 2000 批次,產(chǎn)值實(shí)現(xiàn)科技服務(wù)性收入不少于 5000 萬(wàn)元;
(7)項(xiàng)目實(shí)施期中完成重點(diǎn)專項(xiàng)及專家組委托開展第三方獨(dú)立測(cè)試評(píng)價(jià);項(xiàng)目承擔(dān)單位需具有 ISO17025 實(shí)驗(yàn)室資質(zhì),具有承擔(dān)省級(jí)以上重大科研項(xiàng)目的經(jīng)驗(yàn)。
支持方式與強(qiáng)度:無(wú)償資助,每項(xiàng)不超過 1500 萬(wàn)元。
有什么不懂的問題可以咨詢鼎智在線客服,深圳鼎智知識(shí)產(chǎn)權(quán)創(chuàng)始于2007年,12年知識(shí)產(chǎn)權(quán)成功經(jīng)驗(yàn),專注于深圳政府補(bǔ)貼項(xiàng)目、項(xiàng)目申報(bào)、高新認(rèn)定、注冊(cè)公司、注冊(cè)香港公司、深圳專利申請(qǐng)、國(guó)外專利申請(qǐng)、集成電路布圖、商標(biāo)注冊(cè)、代理記賬、財(cái)稅咨詢等一站式財(cái)稅服務(wù)和其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)相關(guān)服務(wù),鼎智知識(shí)產(chǎn)權(quán)助力企業(yè)揚(yáng)帆起航、快速成長(zhǎng)!歡迎大家前來(lái)咨詢,鼎智將竭誠(chéng)為您服務(wù)。