1、5G毫米波基站前端芯片研發(fā)
一、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)面向毫米波射頻前端芯片的功率放大器和矢量有源移相技術(shù)研發(fā);
(二)基于自研毫米波芯片和國(guó)產(chǎn)毫米波大規(guī)模陣列天線的AiP模組研發(fā);
(三)5G毫米波AAU基站設(shè)計(jì)、系統(tǒng)業(yè)務(wù)傳輸驗(yàn)證及應(yīng)用。
二、資助金額：不超過(guò)1000萬(wàn)元
2、400G高速光通信用56Gbaud光探測(cè)器芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
一、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)芯片外延片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：包括外延層的厚度、摻雜類型和摻雜濃度等設(shè)計(jì);
(二)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：包括臺(tái)面結(jié)構(gòu)、擴(kuò)散區(qū)、表面增透膜、表面鈍化膜、電極結(jié)構(gòu)等設(shè)計(jì);
(三)芯片制作工藝流程及工藝參數(shù)設(shè)計(jì);
(四)高頻信號(hào)測(cè)試技術(shù)研發(fā)。
二、資助金額：不超過(guò)800萬(wàn)元
3、面向5G通信的15 MBd多通道高速邏輯門輸出光耦研發(fā)
一、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)多通道高速邏輯門的發(fā)射/接收芯片設(shè)計(jì);
(二)光電耦合瞬態(tài)共模抑制技術(shù)研發(fā);
(三)多通道抗光電干擾及多通道一致性技術(shù)研發(fā);
(四)芯片超小、超薄的封裝高可靠性設(shè)計(jì)。
二、資助金額：不超過(guò)800萬(wàn)元
4.面向智能手機(jī)的5G NR射頻前端芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
一、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)射頻前端芯片架構(gòu)設(shè)計(jì);
(二)射頻前端芯片5G功率放大器的線性度提升技術(shù)研發(fā);
(三)射頻前端多芯片封裝技術(shù)研發(fā);
(四)5G NR射頻前端芯片檢測(cè)及驗(yàn)證。
二、資助金額：不超過(guò)800萬(wàn)元
5.萬(wàn)兆多模光接入核心芯片和系統(tǒng)研發(fā)
一、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)從EPON/GPON平滑演進(jìn)到10G-EPON和10G-GPON設(shè)計(jì);
(二)基于分布式交換架構(gòu)OLT設(shè)備的大容量、高密度、低功耗設(shè)計(jì);
(三)FTTH長(zhǎng)距離和大分光比技術(shù)研發(fā);
(四)PON核心芯片的高集成度技術(shù)研發(fā)。
二、資助金額：不超過(guò)1000萬(wàn)元
6.物理感知和版圖驅(qū)動(dòng)的邏輯綜合技術(shù)研發(fā)
一、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)融合邏輯綜合、布局布線與簽核工具的統(tǒng)一數(shù)據(jù)庫(kù)平臺(tái)與物理實(shí)現(xiàn)引擎技術(shù)研發(fā);
(二)具有內(nèi)嵌的工業(yè)級(jí)布局布線器的邏輯綜合技術(shù)研發(fā);
(三)物理信息感知和版圖驅(qū)動(dòng)的邏輯優(yōu)化與工藝映射技術(shù)研發(fā);
(四)物理感知的時(shí)鐘樹綜合技術(shù)與時(shí)序重建技術(shù)研發(fā);
(五)支持先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)7nm/5nm的統(tǒng)一的邏輯綜合與物理綜合優(yōu)化技術(shù)研發(fā)。
二、資助金額：不超過(guò)1000萬(wàn)元
7.桌面級(jí)高性能自主可控GPU芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
一、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)圖形處理器(GPU)指令集研發(fā);
(二)可編程渲染GPU Shader Core及GPU Shader Core互聯(lián)技術(shù)研發(fā);
(三)GPU Shader Cluster及GPU SoC設(shè)計(jì);
(四)GPU編譯器及GPU軟件模擬器研發(fā);
(五)Linux操作系統(tǒng)環(huán)境及相關(guān)驅(qū)動(dòng)研發(fā)。
二、資助金額：不超過(guò)800萬(wàn)元
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